Home 東芝、高性能SOI技術を開発

東芝、高周波スイッチ/LNAIC用SOIプロセス技術を開発

富士通は2019年7月25日、2019年度第1四半期(2019年4月〜7月)業績を発表した。LSI、電子部品で構成されるデバイスソリューション事業は、売上高が前年度同期比35.6%減の846億円、営業損益は前年度同期から84億円悪化、77億円の赤字となった。このうちLSI事業の売上高は同80.7%減の179億円となった。
半導体販売会社(富士通エレクトロニクス)、電子部品製造会社を2018年度第4四半期に連結から外すなどの事業再編を進めたことにより、大幅な売り上げ減となった。営業利益についても国内工場の再編費用増加により減益となった。
2019年度通期のデバイスソリューション事業の業績見通しは、売上高が前年度比38.4%減の3,000億円、営業利益はゼロとなっている。LSI事業については売上高400億円にまで縮小する見通しである。
東芝デバイス&ストレージは2020年2月27日高周波スイッチ/低

雑音アンプ (LNA)IC用SOIプロセス技術「TarfSOI」の特性を向上

した最新世代プロセス「TaRF11」の開発を発表した。

今回開発した「TaRF11」のLNA用MOSFETで、周波数 8GHzの

最小雑音指数 0.48dBを達成し、既存世代プロセスTaRF10と比べ

て約0.3dBの特性向上を実現した。また、TaRF10と同様にLNAと

高周波スイッチ、制御回路をワンチップで作製することが可能

なっている。

さらに、当社グループの生産拠点 (ジャパンセミコンダクター)

活用し、SOIプロセスと高周波スイッチ/LNA ICを一貫して開発

いるため、タイムリーな市場投入が実現できる


今後もTarfSOIプロセスのさらなる高性能化をめざし、5GHz帯

加え7GHz帯へ拡張予定の5GスマートフォンやWi-Fi、さらに高周

波帯のUWB (7GHz~10GHz) などへ向けた最先端技術の高周波ス

イッチ/LNA ICの提供を予定している


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最終更新 2020年 3月 02日(月曜日) 15:55  

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