Home SoitecとAMAT、SiC基板共同開発

SoitecとApplied、次世代SiC基板を同開発

富士通は2019年7月25日、2019年度第1四半期(2019年4月〜7月)業績を発表した。LSI、電子部品で構成されるデバイスソリューション事業は、売上高が前年度同期比35.6%減の846億円、営業損益は前年度同期から84億円悪化、77億円の赤字となった。このうちLSI事業の売上高は同80.7%減の179億円となった。
半導体販売会社(富士通エレクトロニクス)、電子部品製造会社を2018年度第4四半期に連結から外すなどの事業再編を進めたことにより、大幅な売り上げ減となった。営業利益についても国内工場の再編費用増加により減益となった。
2019年度通期のデバイスソリューション事業の業績見通しは、売上高が前年度比38.4%減の3,000億円、営業利益はゼロとなっている。LSI事業については売上高400億円にまで縮小する見通しである。
米Applied Materials社(AMAT)とフランスのウェーハメーカSoitec

社は2019年11月18日、SiCウェーハの共同開発プログラム行うこ

とを発表した。

今回のプログラムでは、SoitecがSOIウェーハ製造で活用してい

独自技術「Smart Cut」をベースに、SiCエンジニアリング基板

サンプルを作製することを目指す。具体的には「Smart Cut」

応用して、1枚の高品質SiCウェーハ(ドナーウェーハ)から、

数の高品質SiC層を切り出す。これを低品質ウェーハと貼り合わ

せることで、半導体デバイスを製造できるレベルの高い品質を備

えた複数のウェーハを生産する。エピタキシャル技術でSiC層を

形成するよりも低コスト化が可能になるという。AMATはプロセス

技術と製造装置に関する経験を提供していく。

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最終更新 2019年 12月 10日(火曜日) 10:07  

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