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2019.10.07「最先端デバイススケーリングの限界打破のためのプロセス技術」


「最先端デバイススケーリングの限界打破のためのプロセス技術」

ーデバイス構造、配線材料、絶縁膜、CMP技術、洗浄技術ー


【開催日時】 2019年10月7日(月)10:00〜17:00   (16:50~17:00  名刺交換)

会  場 「連合会館(旧名称:総評会館)」 201会議室

                 東京メトロ千代田線 新御茶ノ水駅 B3出口直結)

【定  員】50名

受  講  料】48,000円 (税別)※テキスト、昼食、コーヒー代含む

   
 

<<セミナー概要>  
この度、半導体に初めて携わる方向けのセミナー「はじめての半導体講座」を開催することといたしました。半導体の製造プロセスについて、基本的な用語解説を交えながらわかりやすくお伝えするほか、様々な最先端デバイスの種類、動向等について4時間に亘ってお伝えいたします。
新入社員の方や部署異動で新たに半導体に携わる方、また改めて基礎的な内容をおさらいしたい方等、幅広い方々に役立つ基礎講座となっております。

 2019年には7nmの量産が立ち上がり、5nmプロセスもリスク生産が


開始されています。研究開発の中心は3nmプロセスに向かって


いますが、そこにはデバイススケーリングの限界が迫っています。


限界突破のため、ゲート構造それまでのFinFETから


 ナノワイヤ/ナノシートを利用した


3次元積層 ゲートオールアラウンド(GAA)構造への移行、


使用されるプロセス、材料でも大改革が見込まれています。


例えば、配線材料では新たな方向が見えてきました。


 今回のセミナーでは、限界突破のための最先端のデバイス、


プロセス技術について第一線の技術者、研究者を迎えて解説していきます。


奮ってご参加下さい。

 

 

 

 

 

 


 

 
 
【プログラム】  
 

 
  10:00−12:00

「最先端デバイスの最新プロセス技術」

 東京工業大学 工学院 電気電子系 電気電子コース 教授 若林 整

 

 

12:00−13:00

昼食

 

  13:00−15:00

「配線スケーリングの限界突破のための配線材料、絶縁膜、CMP技術、洗浄技術」

  IBMリサーチ プリンシパル・リサーチ・スタッフ・メンバー    野上 

 

  15:00-15:15 コーヒーブレイク  

  15:15−16:50

「最先端デバイススケーリングの限界突破のためのCMP技術」

 日立化成株式会社 機能材料事業部 研磨材料開発部 部長 近藤誠一氏

 

  16:50−17:00

名刺交換


 
 
 ※内容を一部変更する場合がございます。


【注意事項】

◇お申込後、弊社より請求書をお送りいたします。受講料はセミナー前日までにお支払いください。
(支払サイクル等の関係でご都合が悪い場合はご相談ください)

◇開催7日前以降のキャンセルはお受けいたしかねますのでご了承ください。
(申し込まれた方がご都合の悪い場合は、代理の方がご出席ください)

◇受講に際して、受講証は発行しておりません。当日は受付にて御社名とお名前で確認致します。


最終更新 2019年 9月 06日(金曜日) 10:20  

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