Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 ウエハ級品質の太陽電池用Si単結晶薄膜を、従来の10倍以上の速度で形成

ウエハ級品質の太陽電池用Si単結晶薄膜を、従来の10倍以上の速度で形成

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
20180316
  
●東工大、早稲田大の研究グループは3月12日、結晶欠陥密度をシリコンウエハレベルまで低減した単結晶Si薄膜を、従来の10倍以上の成長速度で作製することに成功したと発表した。
  
●単結晶Si太陽電池は薄型化することにより、現状モジュールの約40%を占めている原料コストを大幅に低減できるほか、フレキシブル化、軽量化による用途の拡大、設置コストの低減も期待できる。また、CVDを用いたエピタキシー、電気化学的エッチングによる2層の多孔度の異なるナノ構造を有するポーラスシリコン(DPSL)を用いたリフトオフによる単結晶Si薄膜太陽電池は、将来における競争力が期待されている。
  
●今回同研究グループは、単結晶ウエハの表面に電気化学的手法で2層のナノオーダーのポーラスシリコンを作製した。独自のゾーンヒーティング再結晶化法(ZHR法)で表面粗さ0.2〜0.3 nmまで平滑化した基板を使って高速成長させ、高品質の薄膜単結晶を得た。
 
●成長膜は2層のポーラスSi層を使って容易に剥離できる。ZHR法の条件を変えて下地基板の表面粗さを低減すると、結晶薄膜の欠陥密度が徐々に減少し、最終的にシリコンウエハレベルとなる約10分の1までの低減に成功した。
  
●今回開発された単結晶Si薄膜作製技術は、原料収率を100%近くまで向上できる。このため、単結晶シリコン太陽電池並みの発電効率を維持したまま、高速成長による製造装置コストおよび薄膜化・高原料収率による原料コストを大幅に低減できる技術として期待される。
  
(画像は東工大 プレスリリースより)
  
  
  eq2018_banner
  
seminar_banner
  
   
gncletter_banner
  
  
  
最終更新 2018年 3月 19日(月曜日) 09:36