Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 東北大、最小直径3.8nmの高性能磁気トンネル接合素子を開発

東北大、最小直径3.8nmの高性能磁気トンネル接合素子を開発

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
  
●東北大の研究グループは2月15日、低消費電力高性能ワーキングメモリとしての実用化が期待されるSTT-MRAMの主要構成要素である磁気トンネル接合素子の新しい方式を提案し、動作実証に成功したと発表した。
  
●磁石の向きを電気的に制御して情報を記憶する不揮発性磁気メモリ、STT-MRAMは現在世界中で盛んに研究開発が行われており、2018年内には本格量産が始まる見通しとなっている。今後大容量化・高性能化を進めていく上では、その構成要素である磁気トンネル接合素子の微細化が不可欠となる。
  
●微細化に際して課題となるのが、情報の忘れにくさ(熱安定性)と書き換えやすさ(電流誘起磁化反転)の両立である。2010年に同グループは直径20nmまでの微細化技術を確立したが、さらに微細化を進めるにあたり、上記の2つの要件を同時に満足する技術の開発が大きな課題となっていた。
  
  
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●今回、同グループは「形状磁気異方性」を積極活用する新しい磁気トンネル接合素子を提案し、一桁nm台でも十分な熱安定性と電流誘起磁化反転を実現する素子の動作実証に成功した。作製した素子の最小サイズは3.8nmで、これまで行われてきた研究と比べて大幅に小さいサイズとなる。
  
●同技術は、極限まで微細化された将来の半導体集積回路にまで適用可能であり、今後技術開発を進めることで現行の約100倍となる100ギガビット級のSTT-MRAM実現に繋がることが期待される。
  
(画像は東北大 プレスリリースより)
  
  
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最終更新 2018年 2月 26日(月曜日) 09:49  

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