Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 ソニー、画素並列A/D変換器搭載のCMOSイメージセンサを開発

ソニー、画素並列A/D変換器搭載のCMOSイメージセンサを開発

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。

●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。

 

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左:接合部断面構造/右上:画素基板/右下:ロジック基板
  
    
●ソニーは2月13日、新開発のA/D変換器を画素毎に配置し、全画素同時に露光したアナログ信号を各々即座にデジタル変換(画素並列A/D変換)することでグローバルシャッター機能を実現した、有効画素数146万画素の裏面照射型CMOSイメージセンサの開発成功を発表した。
  
●既存のカラムA/D変換方式のCMOSイメージセンサは、画素で光電変換したアナログ信号を行毎にA/D変換して読み出す為、行毎の読み出し時間のずれによる画像の歪み(フォーカルプレーン歪み)が発生するのがネックとなっていた。 
  
  
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●今回の開発品は、新開発の低電流動作可能で小型のA/D変換器を全ての画素の下に配置し、全画素同時に露光したアナログ信号を各々即座にデジタル変換(画素並列A/D変換)した後に、デジタルメモリで信号を一時保持する。これにより、行毎の読み出し時間のずれによるフォーカルプレーン歪みを解消した。
  
●画素基板とロジック基板の導通はTSVではなく、Cuのパッド同士を接続する「Cu-Cu接続」が用いられている。この技術は、同社が2016年12月に米国サンフランシスコで開催されたIEDM(国際電子デバイス会議)で発表したものである。これにより、有効画素数と同じ146万個ものA/D変換器、およびデジタルメモリの搭載スペースを確保した。
  
●100万画素以上の裏面照射型CMOSイメージセンサでの画素並列A/D変換器によるグローバルシャッター機能の実現は、同社によると業界初だという。今回の成果は、2018年2月11日(日)から米国サンフランシスコで開催されているISSCC(国際固体素子回路会議)において発表された。
  
(画像はソニー プレスリリースより)
  
  
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最終更新 2018年 2月 19日(月曜日) 09:30  

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