Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 産総研、次世代不揮発性磁気メモリの新しい記録技術を開発

産総研、次世代不揮発性磁気メモリの新しい記録技術を開発

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
  
● 産業技術総合研究所(以下産総研)スピントロニクス研究センターの研究グループは、配線材料に鉄を基本とする磁石材料を用いることで、高い信頼性を実現しうる次世代不揮発性磁気メモリの新しい記録技術を開発した。
  
●産総研は近年、磁石材料の異常ホール効果と呼ばれる物理特性を利用することで、不揮発性磁気メモリの記録書き換えエラーが低減しうることを提案している。今回、配線材料としてコバルト鉄合金の磁石材料、記録層としてニッケル鉄合金の磁石材料を用いた新構造の面内電流型磁気メモリ素子を作製し、記録技術の原理実証を行った。
  
  
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 (左)今回作製した素子の模式図   右)今回の成果から提案される不揮発性磁気メモリの模式図
  
  
●その結果、安価でありふれた鉄をベースとした材料の配線によるスピン注入効率が、白金などの既存材料の配線と同等に高効率であることを見出し、さらに記録書き換えのエラー低減を可能とする高い信頼性が得られることが明らかになった。
  
●今回開発した新構造の素子や記録技術が、高信頼性と省エネ機能を併せ持った次世代不揮発性磁気メモリの実現に繋がることが期待される。またこの成果の詳細は、2018年2月8日(英国時間)にNature Electronicsにオンライン掲載された。
  
  
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最終更新 2018年 2月 19日(月曜日) 09:29  

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