Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 三菱電機、6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発

三菱電機、6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
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●三菱電機は1月31日、独自の1チップ構造と新パッケージの採用による6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールの開発成功を発表した。同発表によると、世界最高の定格出力密度を実現したという。
  
●6.5kV耐圧を実現することにより、従来3.3kV のフルSiCパワー半導体モジュールを2つ直列に繋いでいた回路を1つに置き換えることができ、パワーエレクトロニクス機器の回路構成の簡素化が可能となった。
  
●また、ダイオードを内蔵した独自開発のMOSFETにより、MOSFETとダイオードを別々にモジュールに搭載した従来製品に比べて、面積を半減している。さらに、部材メーカー4社との連携により、優れた熱伝導性と耐熱性を両立する絶縁基板と、信頼性の高い接合技術を開発し、高放熱・高耐圧の小型パッケージを実現した。
 
●今後は要素技術の改善や信頼性評価を進め、高耐圧が求められる鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器への採用を目指す。
  
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(画像は三菱電機 プレスリリースより)
  
  
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最終更新 2018年 2月 05日(月曜日) 09:41