Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 TSMC、5nmリスク生産を2019年第1四半期に開始予定

TSMC、5nmリスク生産を2019年第1四半期に開始予定

    
●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
●台TSMC社は1月26日、台南サイエンスパークにおける新工場「Fab18」の起工式を開催し、5nmプロセスのリスク生産を2019年第1四半期に開始する計画を明らかにした。リソグラフィにはEUV露光を適用する。量産開始は2020年を見込む。
  
●5nmファブとして稼働するFab18においては、Phase1、2、3に分かれた立ち上げ計画が進行しており、Phase1、2が2020年、Phase3は2021年の量産開始予定となっている。全てが量産に入れば、12インチ換算で年産100万枚以上の生産能力に達する見込だという。
  
●現在の同社の最先端プロセスは10nmであり、2017年第4四半期において全売上高の25%を占めた。次世代となる7nmプロセスの量産も2018年半ばに開始する計画である。韓Samsung Electronics社も2018年に7nmプロセスの量産を開始する予定であるが、同社は7nmプロセスからEUV露光を全面的に適用する計画となっており、台TSMC社より出遅れる可能性が高い。
  
●なお、台南サイエンスパークにおいては、3nmファブの建設も発表されている。3nmプロセスの量産開始は2021〜22年頃とみられる。韓Samsung Electronics社に先駆けて最先端プロセスを量産適用することにより、市場のシェア独占を狙う。
  
  
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最終更新 2018年 1月 29日(月曜日) 09:32