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東北大、次世代相変化メモリの新材料を開発

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図 (a) 今回の研究で作製された記録素子の動作特性  (b) 図(a)の結果より見積もられたデータ書き換えに必要な動作エネルギー
  
●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
●東北大学大学院工学研究科の研究グループは1月12日、既存材料とは逆の電気特性を示す相変化材料(Cr2Ge2Te6)の開発成功を発表した。同材料を用いることで、データ書換え時の消費電力の大幅な低減が可能となる。
  
●フラッシュメモリの限界を凌駕する次世代不揮発性メモリとして、相変化メモリ(PCRAM)が注目されている。しかし、現行のPCRAMに使われている材料は耐熱性が低く、データを書き換える際の消費電力が高いことが課題となっていた。
  
●同研究グループは、Cr2Ge2Te6化合物が 270°C程度と高い結晶化温度を有し、極めてアモルファス相の耐熱性に優れていることを見出した。また同材料が従来材とは逆に、結晶相の方がアモルファス相よりも高い電気抵抗を有することが分かった。これにより、アモルファス化に必要な電流の大幅な低減が可能となる。
  
●今回開発された材料を用いて作製された相変化メモリ(記憶素子)は、フラッシュメモリを上回る高温データ保持性や高速動作性を維持しつつ、データ書き込みの消費電力を大幅に低減できること(90%以上)が実証された。
 
●同研究グループは今後、同材料を用いた PCRAM 実現に向け、長期データ書き換え性などのメモリ動作性能の更なる評価と共に、同材料の高速相変化メカニズムの解明を計画している。
  
(画像は東北大 プレスリリースより)
  
  
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最終更新 2018年 1月 22日(月曜日) 09:43  

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