Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 中央大、今後の3D NANDの更なる大容量化に向けた技術を開発

中央大、今後の3D NANDの更なる大容量化に向けた技術を開発

  
●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
●中央大学理工学部教授 竹内 健 氏の研究グループは12月6日、3D NANDフラッシュに固有の信頼性の問題を解決し、今後の更なる大容量化に繋がる技術を開発した。
  
●同研究グループはまず、3D NANDフラッシュに固有な不良の現象として、垂直方向の電荷の移動に注目した。電荷移動の現象を詳細に評価、解析した。隣接するメモリセル間のしきい値電圧の差が大きくなるほど垂直方向の電界が強くなり、その結果電荷移動によりしきい値電圧が大きく変化して不良になってしまう事が明らかになった。
  
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●上図が今回開発された「VTH Nearing」の模式図である。WL(n+1)のメモリセルを書き込むとき、データを右に1個、2個、3個・・・ 7個、シフトなしの8通りから、最も上下のしきい値電圧が近くなる(エラーが最小になる)組み合わせが選ばれる。
 
●これにより垂直方向の電界が小さくなり、結果として電荷移動を抑制することに成功した。 その結果、データ保持中のメモリセルのエラーを 40%削減し、データ保持の寿命を 2.8 倍に伸ばすことに成功している。
 
●3D NAND フラッシュに固有の電荷の移動は、今後メモリセルのサイズが縮小され大容量化されると更に悪化することが予想される。同手法を用いて問題の一つが解決することで、今後は大容量のメモリを必要とするクラウドデータセンタの記憶媒体としての使用が期待される。
  
(画像は中央大学 プレスリリースより)
  
  
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最終更新 2017年 12月 18日(月曜日) 09:33