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ルネサス、フィン構造MONOSフラッシュメモリの大規模動作に成功

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●ルネサス エレクトロニクスは12月6日、16/14nm世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコン向けに、フィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOSフラッシュメモリの大規模動作に成功したと発表した。
  
  
●SG-MONOSフラッシュメモリは、メモリ保持をシリコン基板面に形成した薄いトラップ膜で行うため、三次元立体構造であるフィン構造への展開が比較的容易であり、同じくフィン構造を有する16/14nmのロジックプロセスとの親和性が高いことを特長としている。
  
●SG-MONOSフラッシュメモリセルを、16/14nm世代以降のマイコンに内蔵する際に課題となるのは、主にメモリの大容量化に伴う特性のばらつきであった。今回同社は大規模メモリでも動作の検証に成功し、100MB超のフラッシュメモリを混載する高性能・高信頼マイコンの実現に向けて大きく前進した。
  
●同社は今回の大規模動作実証を踏まえ、16/14nm世代のフラッシュ内蔵マイコンを2023年頃の実用化に向けて開発する計画となっている。
  
(画像はルネサスエレクトロニクス プレスリリースより)
  
  
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最終更新 2017年 12月 11日(月曜日) 09:36  

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