Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 産総研、電圧トルクMRAMの書込みエラー率低減技術を開発

産総研、電圧トルクMRAMの書込みエラー率低減技術を開発

●産業技術総合研究所(以下産総研)の研究チームは7月12日、電圧書込み方式の磁気メモリー(電圧トルクMRAM)の書込みエラー率を飛躍的に低減させる技術の開発成功を発表した。
  
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上図:書込みエラー率のパルス電圧強度依存性
  
●非常に薄い金属磁石層(記憶層)を持つ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)にナノ秒程度のごく短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転を誘起できる。今回、記憶層の磁気特性を最適化し、電圧磁気異方性変調効率と熱じょう乱耐性Δ 0を向上させて、書き込みエラー率をこれまでの報告値(10-2~10-3)より二桁以上低減(2×10-5)した。これにより1回のエラー訂正(ベリファイ)の実行で実用的な書込みエラー率を実現できる。
  
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●上図がパルス電圧による磁化反転の模式図である。記憶層/絶縁層/磁化固定層を基本構成とし、記憶層の鉄コバルト合金は電圧によって磁気異方性を制御するため数原子層程度と極めて薄い。この素子は電圧をかけている間だけ磁化が回転するため、ちょうど半回転したところで電圧を切ると回転が止まり、磁化が反転してメモリーへの書込みが行われる。
 
●同研究グループは、今後さらなる書込みエラー率低減に向けた新材料開発に加えて、実デバイス上での安定な書き込みを実現するために特性バラつきを改善し、併せて電圧トルクMRAM用回路技術の開発を進める。
  
(画像は産総研 プレスリリースより)
  
   
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最終更新 2017年 7月 18日(火曜日) 09:16