Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 東芝メモリ、96層3D NANDを2018年に量産、2017年度は四日市に1,800億円投資

東芝メモリ、96層3D NANDを2018年に量産、2017年度は四日市に1,800億円投資

●東芝は6月28日、3D NANDフラッシュ「BiCS FLASH」の96層積層プロセスを適用した製品の試作成功を発表した。2017年後半のサンプル出荷、さらに2018年の量産開始を計画している。
  
●今回開発された96層品は256ギガビット(32ギガバイト)TLCで、データセンタ向けエンタープライズSSDやPC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカード等の用途を見込む。
  
●3D NANDフラッシュに関しては、量産レベルにおける最多層品が韓Samsung Electronics社の64層品で、試作レベルとしては韓SK Hynix社が2017年4月に発表した72層品が最多層となる。96層品の開発成功は快挙と言えるだろう。
 
●96層品は、同社の四日市工場第5製造棟、新・第2製造棟に加えて、第6製造棟でも量産する。第6製造棟は現在建設中で、第1期分建屋に96層向けのエッチング装置や成膜装置を導入すると発表した。第1期分は、2018年夏の竣工を予定している。
 
●また第6製造棟では第2期分の建屋も建設予定で、2017年9月に起工し、2018年末に竣工する予定となっている。同社は第1期分の生産設備及び第2期分の建屋建設投資として、2017年度に総額約1,800億円を投じる。
  
toshiba_qlc
(QLCを用いたBiCS FLASH)
  
●また同社は、QLC(4bit/セル)を用いた「BiCS FLASH」の試作成功も発表した。同社によると、QLCの試作成功は世界初だという。試作品は64層積層プロセスを用いて、容量768ギガビットを実現し、既に6月上旬から開発用にSSDメーカーやコントローラーメーカーに提供している。
  
●同社はこれまで、米Western Digital社(WD)子会社の米Sandisk社と共同で、四日市工場への投資を行ってきた。しかし東芝メモリの売却を巡ってWDとの対立を深めており、仮に米Sandisk社が同工場への投資に参加しない場合、東芝メモリ単独で上記の投資を行うとしている。
  
WDは、国際仲裁裁判所・カリフォルニア州上級裁判所において東芝を提訴しており、東芝も6月28日、WDの不正競争行為の差止めを求める仮処分命令申し立てと、総額1,200億円の損害賠償支払いを求める訴訟を東京地方裁判所に提起したと発表した。
  
(画像は東芝 プレスリリースより)
   
oledeq_banner
  
2017_5gseminar_banner
  
new_reports_banner
  
gncletter_banner
  
  
  
最終更新 2017年 7月 03日(月曜日) 10:19  

メール配信ニュース