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韓Samsung Electronics社、64層3D NANDフラッシュの量産開始

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●韓Samsung Electronics社は6月15日、64層・256GbのV-NAND(3D NAND)フラッシュの量産開始を発表した。
  
●64層V-NANDフラッシュは同社の第4世代品に当たるもので、2017年末までには同社のNANDフラッシュの生産量の半分以上を占めることになるという。この64層V-NANDフラッシュを用いたSSDは、2017年1月に既に同社の主要顧客向けに出荷されている。
  
●64層V-NANDフラッシュは1Gbpsのデータ転送速度を有しており、同社によると既存のNANDフラッシュにおいて最速だという。また、同社の48層V-NANDフラッシュの約1.5倍のtPROG(ページプログラミングタイム)を実現した。10nmクラスの2D NANDと比較すると、約4倍となっている。
 
●今後同社では、SSDに加えて組み込み用メモリやメモリカードも2017年後半に投入する。
  
(画像は韓Samsung Electronics社 プレスリリースより)
   
  
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最終更新 2017年 6月 26日(月曜日) 09:27  

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