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ルネサス、低電力スタンバイ特性の内蔵SRAMを開発

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●ルネサスエレクトロニクスは6月8日、IoT/ホームエレクトロニクス/ヘルスケア機器用ASSPに内蔵する、低消費電力SRAMの回路技術の開発成功を発表した。
  
●今回開発された回路技術の特長は、CPUコアのデータ処理に対応して、内蔵SRAMの読み出し・書き込み動作を行うアクティブ動作と、保持データを失うことなく待機するスタンバイ状態を、少ない電力オーバーヘッドで動的に切り替える機能を有する点にある。
   
●同社独自のSOTB(Silicon-On-Thin-BOX)プロセス技術を採用した、65nmノードの内蔵SRAMの試作において、アクティブ動作時の高速読み出し時間1.8ns(ナノ秒)と、スタンバイ時の超低消費電力 13.7 nW/Mbit を実現した。同社によると、世界最小の低電力スタンバイ特性だという。
  
●同内容は、6月5日から9日まで京都で開催された「2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits conference」でも発表された。同社は今回試作した内蔵SRAMを搭載した低電力/ASSPが、IoT分野における環境発電(Energy Harvest)動作に対応し、電池交換を不要とするメンテナンスフリーの機器開発に寄与できると見込んでいる。
  
(画像はルネサスエレクトロニクス プレスリリースより)
   
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最終更新 2017年 6月 12日(月曜日) 09:11