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IBMら、世界初となる5nmトランジスタの開発に成功

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●米IBM社と米GlobalFoundries社、韓Samsung Electronics社の研究グループは6月5日、世界初となる5nmトランジスタの開発成功を発表した。
  
●5nmプロセスにおいては、もはやFinFETは用いられず、代わりにシリコンナノシートトランジスタが採用された。技術的にはFinFETを5nmプロセスに適用することも可能だが、性能的に満足のいく結果が得られないという。5nmプロセスは現行の最先端10nmプロセスと比較して、同消費電力なら40%高い性能、同性能なら75%の消費電力削減が可能となった。
  
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●上図は今回開発された5nmトランジスタの拡大写真である。シリコンナノシートを積層して形成された。指の爪程のサイズのチップに、300億個のトランジスタが形成可能だという。
  
米IBM社らの研究グループは、2015年7月に7nmテストチップの開発成功を発表しており、2年弱で5nmへと駒を進めた形となる。同内容は、6月5日から9日まで京都で開催された「2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits conference」でも発表された。
  
(画像は米IBM社 プレスリリースより)
   
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最終更新 2017年 6月 12日(月曜日) 09:11  

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