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Samsung、2018年に7nm、2020年に4nmリスク生産へ

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●韓Samsung Electronics社は5月24日、ファンドリ事業における微細化ロードマップを公表した。8nm、7nm、6nm、5nm、4nm LPP(Low Power Plus)及び18nm FD-SOIの量産化が計画されている。
  
●近年微細化の技術的困難さは増す一方で、ムーアの法則の鈍化が囁かれて久しいが、同社は本年(2017年)中に8nm、来年に7nmのリスク生産を開始するという強気なロードマップを提示している。更に2020年には4nmのリスク生産に乗り出すという。
  
・同社はまず2017年中に、8nmプロセスのリスク生産に乗り出す。8nmプロセスは、ArF液浸露光を用いるものとしては同社において最も微細なプロセスとなる。
  
・7nmプロセスは、2018年のリスク生産を見込んでいる。7nm以降はEUV露光を用いる。EUV露光装置が量産レベルに達するためには、発光出力250Wが必要とされているが、同社は蘭ASML社との共同開発により既に同レベルに達しているという。
  
・以降6nm、5nmと続き、4nmプロセスのリスク生産は2020年に開始する計画だ。4nmプロセスでは、ナノシートを用いた同社独自のアーキテクチャ「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」が用いられるという。一般的にはGAAFET (Gate All Around FET) と呼ばれるもので、ファンドリ企業が実際にGAAFETの採用時期を明言したのは初めてのことだと思われる。これにより、従来のFinFETの技術的限界の突破を図る。
  
●また同社のファンドリ事業は、従来システムLSI事業内の傘下にあったが、今後の強化を目的として「Samsung Foundry」と名付けられ、独立した一部門となった。
  
(画像は韓Samsung Electronics社 プレスリリースより)
今回、CMOS形成ウエハー(今回は銅電極形成ウエハーで代用)とTMR薄膜ウエハーを別体形成した後に圧着して接合する、3次元積層プロセス技術によるTMR素子の作製に世界で初めて成功した。この技術開発によりウエハーの別体形成が可能になったことで、薄膜のバラツキが極めて小さく、高性能材料候補の選択肢が広い単結晶材料をMRAM製造に用いる目途が立った。これにより、MRAMの飛躍的な大容量化と高性能化につながると期待さ
  
   
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最終更新 2017年 5月 29日(月曜日) 09:44