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中SICC社、SiCパワー半導体生産プロジェクトに着工

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
中国SICC Co., Ltd(SICC)社(山東天岳晶体材料)は2019年2月27日、山東省済南市にてSiCパワー半導体ICと電気自動車モジュールの研究開発及び産業化プロジェクトに着工した。同プロジェクトの総投資額は6億5,000万元(約108億5,000万円)で、工場の建物面積は2,400平方メートルとなる。SiCパワーIC生産ラインとSiC電気自動車ドライバーモジュール生産ライン各1本を建設する。

・計画している生産能力はSiC MOSFETトランジスタ400万個/年、SiCパワーダイオード1,200万個/年、SiC電気自動車向けドライバーモジュール1万個/年となっている。

・SICCは、SiC単結晶成長及び加工技術を山東大学結晶体材料国家重点実験室から技術譲渡されたことにより2010年に設立された。同社の主力製品は100mmSiCウェハで、50mm、150mmも手掛ける。

・2018年11月13日、同社のSiC材料及び関連製品生産ラインが湖南省長沙市にて着工した。これは中国において最大規模の次世代半導体材料の生産ラインである。総投資額は30億元で、2期に分けて建設される。第1期は主にSiC導電性基板を生産する。第2期は主に電力デバイスのパッケージング、モジュール製造及び製造装置、新エネルギー車及び充電ステーション、軌道交通牽引インバータ、太陽光発電用インバータ(PV インバータ)等機能デバイスを生産するという。
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最終更新 2019年 3月 11日(月曜日) 11:58  

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