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Cree,NY州にSiCウェーハ製造工場を新設

富士通は2019年7月25日、2019年度第1四半期(2019年4月〜7月)業績を発表した。LSI、電子部品で構成されるデバイスソリューション事業は、売上高が前年度同期比35.6%減の846億円、営業損益は前年度同期から84億円悪化、77億円の赤字となった。このうちLSI事業の売上高は同80.7%減の179億円となった。
半導体販売会社(富士通エレクトロニクス)、電子部品製造会社を2018年度第4四半期に連結から外すなどの事業再編を進めたことにより、大幅な売り上げ減となった。営業利益についても国内工場の再編費用増加により減益となった。
2019年度通期のデバイスソリューション事業の業績見通しは、売上高が前年度比38.4%減の3,000億円、営業利益はゼロとなっている。LSI事業については売上高400億円にまで縮小する見通しである。
米Cree社は2019年9月23日、ニューヨーク州などアメリカの東

海岸にウェーハからデバイスまでのSiC製造にかかわる施設を

集約したSiCコリドー(回廊)を形成する計画を明らかにした。

その一環として、自動車用RF、パワーデバイス用の200mmウェ

ーハ処理用工場をニューヨーク州Mercyに新設する。新工場は

North Fabと呼ばれ、ノースカロライナ州Durham本社のMega

Fabを補完する役割を持っており、新施設の稼働により生産能

力を25%拡大することが可能になるといえる。

同社はニューヨーク州と提携を結んでおり、今回の新工場

もその一環である。新工場には約10億米ドルの投資を計画し

ている。また、ニューヨーク州も同工場での研究開発事業に

対して5億米ドルの支援を行う計画である。


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最終更新 2019年 9月 30日(月曜日) 18:24  

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