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AMAT、メモリ用新素材対応薄膜形成装置を発表

   
蘭ASML社は2019年7月17日、2019年度第2四半期業績を発表した。同期売上高は、システム売上高が前年度比4.8%増の18億5,080万ユーロ、サービス&フィールドオプション事業の売上高は同9.7%増の7億1,700万ユーロ、装置、サービス事業の合計売上高は同6.3%減の25億6,790万ユーロとなった。営業利益は同28.3%減の4億9,430万ユーロ、純利益は同18.5%減の4億7,600万ユーロで、大幅な減益となった。受注額はEUV装置10台分を含む28億2,800万ユーロ、受注台数は新品50台、中古装置11台、合計となった。
露光装置の光源別売上高比率、台数は以下の通りとなった。KrFが売上高比率11%、売上台数19台。i線が売上比率1%、売上台数が6台。ArFドライが売上比率2%、売上台数3台。ArF液浸が売上比率41%、売上台数13台(中古装置含む)。EUVが売上比率41%、売上台数は7台。検査・評価装置が売上高の4%を占めている。
アプリケーション別比率は、ロジック61%、メモリ39%。地域別出荷額比率は、台湾46%、韓国26%、中国12%、米国10%、欧州・中東3%、日本3%となった。
2019年度上期業績は、売上高が前年度比4.5%減の47億9,700万ユーロ、営業利益は同37.8%減の8億2,860万ユーロ、純利益は同26.0%減の8億3,140万ユーロとなった。
2019年度第3四半期については、売上高30億ユーロを予想している。システムの売上高にはEUV装置7台分の7億5,000万ユーロが含まれる。また、サービス関連売上高は7億ユーロと予想している。
   米Applied Materials(AMAT)社は2019年7月9日、磁気抵抗メモリ

 (MRAM)、抵抗変化型メモリ(ReRAM)、相変化メモリ(PCRAM)

 などの新メモリ技術の業界導入を加速する、革新的な量産ソリュー

ショを発表した。これら新型メモリでは基盤となる新材料の扱いが

難しく、量産には多くの課題があった。AMATのEnduraプラットフォ

ームの新装置は、これらの新型メモリの鍵となる新材料の成膜を原子

レベルの精度で成膜することを可能にし、新型メモリの大規模な量産

を実現するために開発された最も先進的なシステムとなる。

   MRAM は、ハードディスクドライブに広く用いられている繊細な

磁性材料を利用する。 高速かつ不揮発性で、電源がオフになっても

ソフトウェアとデータを保持でき、その高速性と耐久性の高さから、

いずれレベル3キャッシュメモリとしてSRAMを置換するものと期待

されている。MRAM は IoTチップの設計に際して BEOL の配線層に

組み込めるため、チップサイズの小型化とコスト削減にも貢献する。

    AMATの新プラットフォーム Endura Clover MRAM PVDは、最大

9つのウェーハ処理チャンバで構成され、各チャンバは独立して高真

空状態を維持する。この量産向け300mm MRAM装置は、1チャンバ

につき最大5種類の異なる材料を成膜することができる。MRAMでは

少なくとも30種の材料層を正確に成膜る必要があり、原子1個の直径

にも満たないわずかな厚さのばらつきでさえ、デバイスの性能や信頼

性に大きな影響を及ぼす可能性がある。Clover MRAM PVDは、成膜

される MRAM 層の厚さをオンボード計測する機能によってサブオング

ス トロームレベルの精度でインサイチュ測定・モニターをし、ウェー

を外気にさらすことなく原子レベルの均一性を確保する。

    高速性、不揮発性、省電力性、高密度を兼ね備えた抵抗変化型メモ

(ReRAM)と相変化メモリ(PCRAM) が、新たな「ストレージ

クラスメモリ」として注目を集めている。

    ReRAM は、ヒューズのように機能する新しい材料を使用して作ら

れており、データを表すために数十億の記憶セル内にフィラメントを

選択的に形成することができる。一方、 PCRAM はDVDディスクなど

に用いられる相変化材料を利用し、ビットは材料の状態をアモルファス

から結晶質に変えることによってプログラムされる。ReRAMとPCRAM

は、3D NANDメモリと同様に3D構造に配列されるため、メモリメーカ

は製品世代ごとに積層数を増やしてビットコストを継続的に引き下

ことができる。さらにReRAMとPCRAMでは、プログラミングや抵抗

の中間状態を利用して、各メモリセルを多値化する事も可能となる。

    AMATのPCRAMおよびReRAM用プラットフォームEndura Impulse

PVD は、最大9つのプロセスチャンバとオンボード計測機能を真空状態

で統合し、新型メモリに欠かせないマルチコンポーネント材料の精密

な成膜と制御を実現する。

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最終更新 2019年 7月 26日(金曜日) 11:47  

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