Home NXP、高効率GaN発表

NXP、RFエネルギー向け高効率GaNトランジスタを発表

 

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。

オランダNXP Semiconductors社は2019年6月4日、GaN-on-SiCを使用した初のRFエネルギー向けRFパワー・トランジスタ「MRF24G300HS」を発表した。新製品はGaNの高効率を利用し、SiCの高い熱伝導性によりCW動作を実現しながら、2.45GHz時に多くのマグネトロンを超える高効率を提供する。

ソリッド・ステート・ソリューションは数年前に市場に登場し、先進制御機能、高い信頼性、使いやすさをもたらした。電力、周波数、位相のダイナミック調整機能により、加熱対象の材料や食品へのエネルギー伝導の最適化を可能にする。最大定格性能でのトランジスタの長寿命化により、交換の必要性が低減する、といった特徴がある。
しかし、RFエネルギー向けGaN-on-SiCが登場するまで、ソリッド・ステート・デバイスは現在のマグネトロンの性能基準を満たす効率を欠いていた。MRF24G300HSは330W CW、50V GaN-on-SiCトランジスタで、2.45GHz時に最新のLDMOS技術に比べ5ポイント高い73%のドレイン効率を実現した。また、GaNの高い電力密度により、小フットプリントで高出力を可能にした。GaN技術は出力インピーダンスが高く、LDMOSに比べ広帯域整合を可能にするため、設計時間の短縮と製造ラインでの一貫性の確保が実現し、マニュアルでの調整が不要になる。
MRF24G300HS RFトランジスタは現在サンプル供給中で、量産開始は2019年第3四半期の予定。MRF24G300HS-2450MHZという製品名で2400〜2500MHzリファレンス回路を提供している。

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最終更新 2019年 6月 18日(火曜日) 11:29  

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