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Cree,SiCウェーハ生産能力増強に10億米ドルを投資

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。

米Cree社は2019年5月4日、SiCウェーハの生産能力増強に向けて10億米ドルを投資する計画を発表した。200mmウェーハ対応結晶成長設備の第2工場を含む、SiC材料の大型工場(メガ・ファクトリー)建設、既存設備の増強に4億5,000万米ドル、デバイス製造向けに現在建設中の200mmウェーハ対応工場(第2工場:North Fab)の完成と自動化ラインの構築に4億5,000万米ドル、その他関連事業に向けて1億米ドルの投資を計画している。いずれもダーハムの本社に建設する。

この設備増強により、SiCウェーハの生産能力およびSiC/GaNデバイスの生産能力を2024年度中に、2017年第1四半期比で30倍にまで拡大する計画である。20190311 china

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最終更新 2019年 5月 27日(月曜日) 15:12  

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