Home TSMC、6nmプロセス技術を発表

TSMC、6nmプロセス技術を発表

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing(TSMC)社は2019年4月16日、6nmプロセス(N6)を発表した。N6プロセスは、7nmのN7プロセスをベースとしているが、EUVを本格採用(N7/N7+では、リスク生産レベル)することで、ロジック回路に応用した場合、N7比で18%の高集積化を実現できる。一方、デザインルールはN7プロセスと完全互換となっている。この結果、顧客は微細化の成果をシームレスに得ることができるようになる。

・N6プロセスによるリスク生産は2020年第1四半期に開始する予定。
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最終更新 2019年 4月 19日(金曜日) 16:53