Home SK Hynix、96層4D NAND Flash

SK Hynix、CTFベースの96層4D NANDフラッシュを発表

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
韓国SK-Hynix社は2018年11月4日、メモリセルとしてCharge Trap(CTF)構造の3値/セル(TLC:Triple-Level Cell)を採用した512ギガビット(Gb)NAND型フラッシュメモリを発表した。この新製品は、3D構造のNAND型フラッシュメモリ・セルの下に周辺回路を実装(PUC: Peripherals under Circuit) することで高い性能と生産性を実現している。SKは、今回の新製品が採用している3D NAND+PUCという構造を“4D”と呼んでいる。

・同社では、同メモリと対応コントローラを採用した1テラバイト(TB)容量のSSDを2018年内に発表する予定である。2019年前半には企業向けSSDの発売も計画している。

・新しい4D NAND製品は、既存の72層512Gb製品と比較して、チップ面積を30%減少、ワット当たりの生産性を49%向上している。さら、書き込み性能を30%、読み込み性能を25%向上させている。これによりデータI/O速度は、1,200Mbps (Mb/sec)(1.2V動作時)に達している。さらに2019年中にTLCとQLC(4値/セル)で、96層の1Tb製品を発表する計画である
20181105_banner
20181206_banner
gncletter_banner
  
  
  
最終更新 2018年 11月 12日(月曜日) 15:40