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中Innoscience社、WBGSプロジェクトの起工式開催

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
2018年6月23日、中Innoscience(Suzhou) Semiconductor社(英諾賽科(蘇州)公司)のWide-bandgap semiconductors(WBGS)プロジェクト第1期の起工式が蘇州呉江ハイテクノロジー開発区にて行われた。同プロジェクトの敷地面積は約24万5,346㎡。完成後、研究開発、規模生産、IC製造、パッケージ・テストを一貫した世界一流の半導体産業チェーンの生産プラットフォームとなる。 総投資額は60億元を計画している。

・同プロジェクトは、GaN-on-Si分野の国産化を実現するための研究開発を目的として立ち上げられたもの。5Gモバイル通信、新エネルギー自動車、高速列車、エレクトロニクス情報、航空宇宙などの産業分野に先端、高効率、省エネ、低価格の主要半導体を提供する。2019年末頃生産開始し、フル稼働を実現した場合、生産能力は月産6万枚〜8万枚になるという。2023年には生産高が100億元以上になると予測している。

 ・中Innoscience(Suzhou) Semiconductor社はWBGSの研究開発および産業化に専念しているハイテク企業。2017年11月、同社は中国において初めてとなる8インチGaN-on-Si量産ラインの建設を完了した。

・同社の駱薇薇董事長によると、現在中国はGaNパワー半導体およびRFデバイスにおいて、特にGaN-on-Si分野については、まだ国産化を実現していない。

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最終更新 2018年 6月 29日(金曜日) 10:25