Home 富士通、8Mbit容量のFRAMを開発

富士通、8Mビット容量のFRAMを開発

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
・富士通セミコンダクターは2018年6月26日、FRAM(強誘電体RAM)の製品ラインナップでは最大容量となる8MビットFRAM「MB85R8M2T」を開発し、今月から量産提供を開始したことを発表した。 同製品は、1.8V〜3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレルインターフェースを持つ。FRAMの書換え保証回数は、同じ不揮発性メモリのEEPROMと比較すると約1,000万倍の10兆回になるため、リアルタイムでのデータ記録や位置情報記憶など、頻繁なデータ書換えが必要な産業用アプリケーションにも採用されている。

・パッケージは、8mm x 6mmの小型サイズである48ピンFBGAパッケージを採用している。44ピンTSOPパッケージのSRAMを使用している場合は、同FRAMに置き換えることで、バッテリーの実装面積を含めると約90%の実装面積の削減になる。(図1)

・また、SRAMをFRAMに置き換えることで、メモリ部分の開発から運用を含めたトータルコストの削減に貢献する。 瞬断時のデータ保護用のバッテリーをなくすことによって、部品コストを抑えることができる。さらに、お客様の最終製品が数年間使用されることを踏まえると、SRAM使用時ではバッテリーの定期的な点検や交換、在庫の確保など、メンテナンスにかかる運用が発生するが、FRAMでは不要になる。したがって、このバッテリーレス・ソリューションによって、開発と運用のトータルコスト削減に寄与する。(図2) 
図1:実装面積比較                                                
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図2:トータルコスト比較
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最終更新 2018年 6月 29日(金曜日) 09:59