Home AMAT、Co配線形成新装置技術

AMAT、Co配線形成に向けて新装置技術を発表

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
米Applied Materials(AMAT)は2018年6月5日、トランジスタのコンタクト、配線に新材料であるCo(コバルト)の導入可能にするための統合的なプロセスソリューションを発表した。同社ではCo配線のための成膜プロセスであるプリクリーン、PVD、ALD、CVDなどの工程を、 Enduraプラットフォーム上に組み合わせた。さらに、Producerプラットフォーム上でのアニール処理、Reflexion LK Prime CMPプラットフォームでの平坦化処理、PROVisionプラットフォームでの電子ビーム検査を含めた統合コバルト製品群を設定した。 この実証済みインテグレーテッド マテリアルズ ソリューションを用いることで、市場投入を早めるとともに、7nmファウンドリ・ノード以降のチップ性能を高めることができる。

・Co配線については、米Intelが10nm以降の最先端プロセスでの導入(第1、2層)を発表している。

seminar_banner0709
  
   
gncletter_banner
  
  
  
最終更新 2018年 6月 22日(金曜日) 14:02