Home 96層3D-NAND型フラッシュメモリ

MicronとIntelが96層3D-NAND型フラッシュメモリを発表

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
・米Intel社とMicron Technology社は2018年5月21日、4ビット/セルの多値セル構造の3D NAND型フラッシュメモリの評価と96層3D NAND型フラッシュメモリの開発を行ったことを発表した。

・4ビット/セル(QLC)の多値セル構造製品は、64層・第2世代NAND型フラッシュメモリ技術をベースにしたもので、容量は1テラビット(Tb)となっている。
・また、96層3D NAND型フラッシュメモリは第3世代の3D NAND型フラッシュメモリだが、セリ構造は3ビット/セル(TLC)となっている。
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最終更新 2018年 5月 28日(月曜日) 11:07