Home 極薄ナノシートの大面積成膜

東京大学ら、厚さわずか数分子の有機単結晶ナノシートの大面積成膜に成功

●東芝は12月13日、同社のメモリ事業売却に関して係争中となっていた米Western Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。
●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。また両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。
●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。
●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。
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(左) 有機半導体インクから大面積単結晶薄膜を塗布製膜する手法の概要図
(右) 高移動度有機半導体材料の構造式と2次元単結晶領域の偏光顕微鏡写真
  
  
●東京大学、産業技術総合研究所、物質・材料研究機構らの研究グループは2月13日、分子スケールで膜厚が制御された厚さ15nm以下の2次元有機単結晶ナノシートの、10cm角以上の大面積にわたる作製成功を発表した。有機半導体インクを用いた簡便な印刷手法が採られている。
  
●近年の材料開発の進歩によって、実用化レベルの高い電荷移動度を示す有機電界効果トランジスタの報告が増えており、無線タグなどの高速応答が求められる論理素子への応用が期待されている。しかし、有機半導体はシリコンなどの無機半導体に比べ非常に大きな接触抵抗を持つため、短チャネルのトランジスタの電荷移動度が単結晶本来の値よりも大幅に低下し、応答速度が制限されてしまうという問題があった。
  
  
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●今回、同研究グループが開発したわずか数分子層の厚みからなる2次元有機単結晶ナノシートは、電極から電荷輸送層へのスムーズな電荷注入が可能になったため、13 cm2/Vsの高い電荷移動度に加え、有機電界効果トランジスタとしては最小の47 Ωcmの接触抵抗を示すことが分かった。
  
●また、短チャネルのデバイスにおいて世界最高レベルの20 MHzの遮断周波数を実現し、さらには無線タグの商用周波数の13.56 MHzを大きく上回る29 MHzで応答可能な整流素子を作製することに成功している。
  
●これまで有機半導体の応用が困難と考えられていた高速演算処理が必要な論理素子などへの応用が期待されるほか、低コストの無線タグやヘルスケアデバイス、ガスや生体細胞の吸着を高感度で検知するセンサ等の用途が見込まれる。
  
(画像はNIMS プレスリリースより)
  
  
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最終更新 2018年 2月 13日(火曜日) 09:42