Home 三菱電機、新SiC素子開発

三菱電機、電力損失を抑えた新SiCパワー半導体素子を開発

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●三菱電機は9月22日、パワー半導体モジュールに搭載されるパワー半導体素子として、電流を高速に遮断する保護回路無しで使えるSiCパワー半導体素子の開発成功を発表した。同社によると、発表時点で世界最小の電力損失だという。
 
●今回開発されたSiC-MOSFETは、通常は単一構造で構成されるソース領域にソース抵抗制御領域を形成することにより実現した。搭載機器の短絡発生時の電流を低減し、短絡許容時間を延ばして素子破壊を抑制している。これにより、従来の同社のSiC-MOSFETに対し、同一短絡許容時間において、室温における素子のオン抵抗を40%低減し、20%以上の電力低損失化を実現した。
  
●また短絡許容時間を延ばせることにより、
短絡保護回路の設計が容易にな
り、信頼性は高くな
短絡保護回路の設計が容易になり、信頼性が高くなる。これにより様々な耐圧のSiC-MOSFETに適用できるほか、Siパワー半導体ですでに確立されている短絡保護回路技術を併用することにより、短絡時の安全な保護動作が実現可能となった。
 
●同社は今後素子の信頼性とモジュールとしての評価を進め、2020年度以降の実用化を目指す。

(画像は三菱電機 プレスリリースより)
  
  
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最終更新 2017年 10月 02日(月曜日) 09:37