Home TSMC、台南に3nmファブ建設へ

TSMC、台南に3nmファブ建設へ

 
●台TSMC社は9月29日、台湾・台南テクノロジーパークにおいて、3nmプロセスを用いる半導体工場を建設すると発表した。
 
●同社は新竹のFab12、台中テクノロジーパークのFab15においてそれぞれ10nmプロセスの量産を行っており、台南テクノロジーパークのFab14では16nmプロセスが量産されている。ここに将来的に3nmファブを建設することとなった。プレスリリースは端的な内容となっており、詳細は記載されていない。
  
●順調にプロセス開発が進んだとして、3nmプロセスが量産開始となるのは2021〜22年頃が予測される。同社は2017年に7nmプロセス、2019年に5nmプロセスの量産開始を計画している。
 
●一方で韓Samsung Electronics社は、2020年の4nmプロセスのリスク量産開始を目標に掲げている。米Intel社は微細化ロードマップに若干の遅れが出ているが、米アリゾナ州のFab42において7nmプロセスの量産を開始する計画である。「More Moore」の勢いはまだまだ止まりそうにない。
  
  
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最終更新 2017年 10月 10日(火曜日) 09:35